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LS485S Datasheet

  • LS485S

  • Silicon Epitaxial Planar Diodes

  • 50.08KB

  • 3頁(yè)

  • VISHAY   VISHAY

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LS485S
Vishay Telefunken
Silicon Epitaxial Planar Diodes
Applications
General purposes
96 12009
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Peak reverse voltage
Reverse voltage
Forward current
Forward peak current
Peak forward surge current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
I
R
= 100
m
A
Type
Symbol
V
RRM
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
T
j
T
stg
Value
200
180
200
500
4
150
鈥?5...+150
Unit
V
V
mA
mA
A
擄
C
擄
C
f=50Hz
t
p
=1
m
s
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
Electrical Characteristics
Parameter
Forward voltage
g
Test Conditions
I
F
=10mA, T
j
= 鈥?0
擄
C
I
F
=10mA, T
j
= 25
擄
C
I
F
=10mA, T
j
= 125
擄
C
V
R
= 10V, T
j
= 鈥?0
擄
C
V
R
= 10V, T
j
= 25
擄
C
V
R
= 10V, T
j
=125
擄
C
I
R
=100
m
A, T
j
= 鈥?0
擄
C
I
R
=100
m
A, T
j
= 25
擄
C
I
R
=100
m
A, T
j
= 125
擄
C
V
R
=0V, f=1MHz
Type
Symbol
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
V
(BR)
V
(BR)
V
(BR)
C
D
Min
Typ
Max
1.2
1.1
1.1
25
25
150
Unit
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
pF
Reverse current
Breakdown voltage
g
200
200
200
5
Diode capacitance
Document Number 85565
Rev. 1, 09-Apr-99
www.vishay.de
鈥?/div>
FaxBack +1-408-970-5600
1 (3)

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