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LS4151 Datasheet

  • LS4151

  • Silicon Epitaxial Planar Diode

  • 55.84KB

  • 4頁

  • VISHAY   VISHAY

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LS4151
Vishay Telefunken
Silicon Epitaxial Planar Diode
Features
D
Electrical data identical with the device 1N4151
D
Quadro Melf package
Applications
Extreme fast switches
96 12009
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Forward current
Average forward current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Type
Symbol
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
V
T
j
T
stg
Value
75
50
2
500
300
150
500
175
鈥?5...+175
Unit
V
V
A
mA
mA
mA
mW
擄
C
擄
C
t
p
=1
m
s
V
R
=0
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
Document Number 85563
Rev. 3, 01-Apr-99
www.vishay.de
鈥?/div>
FaxBack +1-408-970-5600
1 (4)

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    LINEAR
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    LINEAR [Li...
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    LINEAR [Li...
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    TEMIC
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    DIOTEC
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    SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
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    DIODES
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