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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

LND01K1-G Datasheet

IC型號：
LND01K1-G
PDF描述：
MOSFET N-CH 9V 330MA 5SOT-23
文件大小：
459.00KB
PDF頁數(shù)：
3頁

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

LND01K1-G 產(chǎn)品屬性

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
價格
1 : ￥4.45000剪切帶（CT）3,000 : ￥3.69670卷帶（TR）
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
9 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
330mA（Tj）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
1.4 歐姆 @ 100mA，0V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
-
Vgs（最大值）
+0.6V，-12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
46 pF @ 5 V
FET 功能
耗盡模式
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）
工作溫度
-25°C ~ 125°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
SOT-23-5
封裝/外殼
SC-74A，SOT-753

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型號

版本

描述

廠商

下載
LND01K1-G

英文版

MOSFET N-CH 9V 330MA 5SOT-23

LND01K1-G

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