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LNA2801L Datasheet

  • LNA2801L

  • GaAlAs on GaAs Infrared Light Emitting Diode

  • 2頁

  • PANASONIC

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Infrared Light Emitting Diodes
LNA2801L
GaAlAs on GaAs Infrared Light Emitting Diode
Unit : mm
Not soldered 2.0 max.
2-0.8 max.
2-0.5鹵0.1
2
(1.5)
1
2.54
1.6
For optical control systems
5.5鹵0.2
1.0
15.5鹵1.0
1.0
4.5鹵0.3
酶3.6鹵0.2
酶3.0鹵0.2
Features
High-power output, high-efficiency : I
e
= 6 mW/sr (min.)
Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors
Good radiant power output linearity with respect to input current
酶3 plastic package
0.5鹵0.1
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25藲C)
Parameter
Power dissipation
Forward current (DC)
Pulse forward current
Reverse voltage (DC)
Operating ambient temperature
Storage temperature
*
Symbol
P
D
I
F
I
FP*
V
R
T
opr
T
stg
Ratings
75
50
1
3
鈥?5 to +85
鈥?40 to +100
Unit
mW
mA
A
V
藲C
藲C
1: Anode
2: Cathode
f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %
Electro-Optical Characteristics
(Ta = 25藲C)
Parameter
Center radiant intensity
Peak emission wavelength
Spectral half band width
Forward voltage (DC)
Reverse current (DC)
Capacitance between pins
Half-power angle
Symbol
I
e
位
P
鈭單?/div>
V
F
I
R
C
t
胃
Conditions
I
F
= 20mA
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
V
R
= 3V
V
R
= 0V, f = 1MHz
The angle in which radiant intencity is 50%
min
6
typ
940
50
1.3
35
15
max
Unit
mW/sr
nm
nm
1.5
10
V
碌A(chǔ)
pF
deg.
1

LNA2801L 產(chǎn)品屬性

  • LNA2801L View all Specifications

  • 1,000

  • 光電元件

  • 紅外發(fā)射極

  • -

  • 50mA

  • -

  • 940nm

  • 1.3V

  • 30°

  • 頂視圖

  • 通孔

  • T-1

  • -

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    Infrared Light Emitting Diodes
  • 英文版
    Infrared Light Emitting Diodes
  • 英文版
    GaAs Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC
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    GaAs Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC ...
  • 英文版
    GaAs Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC
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    GaAs Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC ...
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    GaAlAs on GaAs Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC
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    GaAlAs on GaAs Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC ...
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    GaAs Bi-directional Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC
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    Infrared (IR) Emitter 940nm 1.3V 50mA 1.2mW/sr @ 50mA 20° R...
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    GaAs Bi-directional Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC ...
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    PANASONIC ...
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    GaAs infrared light emitting diode For optical control syste...
    PANASONIC

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