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LNA2606L Datasheet

  • LNA2606L

  • GaAlAs on GaAs Infrared Light Emitting Diode

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  • PANASONIC

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Infrared Light Emitting Diodes
LNA2606L
GaAlAs on GaAs Infrared Light Emitting Diode
Unit: mm
0.8 max.
For optical control systems
s
Features
鈥?/div>
High-power output, high-efficiency: P
O
=
9 mW min.
鈥?/div>
Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors
鈥?/div>
Ultra-miniature, thin side-view type package
鈥?/div>
Long lifetime, high reliability
1.95鹵0.25
3.0鹵0.3
0.8
蠁1.1
R0.5
1.4鹵0.2
0.9
0.5
3.5鹵0.3
12 min.
2.4 1.1
Not soldered 2.15 max.
1.1
2鈭?/div>
0.5鹵0.15
0.3鹵0.15
s
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25擄C
Parameter
Power dissipation
Forward current (DC)
Pulse forward current
*
Reverse voltage (DC)
Operating ambient temperature
Storage temperature
Symbol
P
D
I
F
I
FP
V
R
T
opr
T
stg
Ratings
80
50
1
3
鈭?5
to
+85
鈭?0
to
+100
Unit
mW
mA
A
V
擄C
擄C
2
2.54
1
1: Anode
2: Cathode
Note) *: f = 100 Hz, Duty Cycle
=
0.1%
s
Electro-Optical Characteristics
T
a
=
25擄C
Parameter
Radiant power
Peak emission wavelength
Spectral half band width
Forward voltage (DC)
Reverse current (DC)
Capacitance between pins
Half-power angle
Symbol
P
O
位
P
鈭單?/div>
V
F
I
R
C
t
胃
I
F
=
50 mA
I
F
=
50 mA
I
F
=
50 mA
I
F
=
50 mA
V
R
=
3 V
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
The angle in which radiant intencity is 50%
35
20
Conditions
min
9
940
50
1.3
1.6
10
typ
max
19
Unit
mW
nm
nm
V
碌A(chǔ)
pF
擄
1

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    GaAs Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC ...
  • 英文版
    GaAs Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC
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    GaAs Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC ...
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    GaAlAs on GaAs Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC
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    GaAlAs on GaAs Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC ...
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    GaAs Bi-directional Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC
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    Infrared (IR) Emitter 940nm 1.3V 50mA 1.2mW/sr @ 50mA 20° R...
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    GaAs Bi-directional Infrared Light Emitting Diode
    PANASONIC ...
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    GaAs Bi-directional Infrared Light Emitting Diodes
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    PANASONIC ...
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