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LN54 Datasheet

  • LN54

  • GaAs Infrared Light Emitting Diode

  • 3頁(yè)

  • PANASONIC

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Infrared Light Emitting Diodes
LN54
GaAs Infrared Light Emitting Diode
Unit : mm
Not soldered 0.8 max.
For optical control systems
酶2.2
3.9鹵0.3
2.4 1.5
4.5鹵0.3
Features
High-power output, high-efficiency : P
O
= 4.6 mW (typ.)
Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors
Infrared light emission close to monochromatic light :
位
P
= 950 nm (typ.)
Small size, thin side-view type package
2.9鹵0.25
1.2
1.7鹵0.2
0.9
0.8
12.8 min.
2.8
2-1.2鹵0.3
2-0.45鹵0.15
0.45鹵0.15
2.54
R0.8
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25藲C)
Parameter
Power dissipation
Forward current (DC)
Pulse forward current
Reverse voltage (DC)
Operating ambient temperature
Storage temperature
*
R0.6
Symbol
P
D
I
F
I
FP*
V
R
T
opr
T
stg
Ratings
75
50
1
3
鈥?5 to+85
鈥?0 to +100
Unit
mW
mA
A
V
藲C
藲C
1
2
1: Cathode
2: Anode
f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %
Electro-Optical Characteristics
(Ta = 25藲C)
Parameter
Radiant power
Peak emission wavelength
Spectral half band width
Forward voltage (DC)
Reverse current (DC)
Capacitance between pins
Half-power angle
Symbol
P
O
位
P
鈭單?/div>
V
F
I
R
C
t
胃
Conditions
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
V
R
= 3V
V
R
= 0V, f = 1MHz
The angle in which radiant intencity is 50%
min
2.5
typ
4.6
950
50
max
Unit
mW
nm
nm
1.5
10
35
17
V
碌A(chǔ)
pF
deg.
1

LN54 產(chǎn)品屬性

  • LN54 View all Specifications

  • 500

  • 光電元件

  • 紅外發(fā)射極

  • -

  • 50mA

  • -

  • 950nm

  • 1.5V

  • 34°

  • 側(cè)視圖

  • 通孔

  • 徑向

  • -

  • LN54PA

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