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LN162S Datasheet

  • LN162S

  • GaAs Infrared Light Emitting Diode

  • 2頁(yè)

  • PANASONIC

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Infrared Light Emitting Diodes
LN162S
GaAs Infrared Light Emitting Diode
Unit : mm
For optical control systems
Features
High-power output, high-efficiency : P
O
= 3.5 mW (typ.)
Infrared light emission close to monochromatic light :
位
P
= 950 nm (typ.)
Small ceramic package
3.75鹵0.3
2.0鹵0.2
12.5 min.
酶3.0鹵0.15
酶0.3鹵0.05
酶0.45鹵0.05
0.9鹵0.15
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25藲C)
2
1
1: Anode
2: Cathode
Parameter
Power dissipation
Forward current (DC)
Pulse forward Current
Reverse voltage (DC)
Operating ambient temperature
Storage temperature
*
Symbol
P
D
I
F
I
FP*
V
R
T
opr
T
stg
Ratings
75
50
1
3
鈥?5 to +85
鈥?0 to +100
Unit
mW
mA
A
V
藲C
藲C
f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %
Electro-Optical Characteristics
(Ta = 25藲C)
Parameter
Radiant power
Peak emission wavelength
Spectral half band width
Forward voltage (DC)
Reverse current (DC)
Capacitance between pins
Half-power angle
Symbol
P
O
位
P
鈭單?/div>
V
F
I
R
C
t
胃
Conditions
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
V
R
= 3V
V
R
= 0V, f = 1MHz
The angle in which radiant intencity is 50%
min
1.5
typ
3.5
950
50
1.2
50
80
max
Unit
mW
nm
nm
1.5
10
V
碌A(chǔ)
pF
deg.
1

LN162S 產(chǎn)品屬性

  • LN162S View All Specifications

  • 500

  • 光電元件

  • 紅外發(fā)射極

  • -

  • 50mA

  • 3.5mW/sr @ 50mA

  • 950nm

  • 1.2V

  • 160°

  • -

  • 通孔

  • 陶瓷

  • 散裝

  • LN162S-NDP14232Q1918219

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