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LM8050I, LM8050J

Amplifier Transistors

NPN Silicon

http://onsemi.com

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current 鈥?Continuous

Total Device Dissipation

@ T

A

= 25擄C

Derate above 25擄C

Total Device Dissipation

@ T

C

= 25擄C

Derate above 25擄C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

Symbol

V

CEO

V

CBO

V

EBO

I

C

P

D

625

5.0

P

D

1.5

12

T

J

, T

stg

鈥?5 to

+150

Watts

mW/擄C

擄C

1

2

3

TO鈥?2

CASE 29

STYLE 1

mW

mW/擄C

Value

25

30

6.0

800

Unit

Vdc

Vdc

Vdc

mAdc

1

EMITTER

2

BASE

COLLECTOR

3

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance,

Junction to Ambient

Thermal Resistance,

Junction to Case

Symbol

R

胃JA

R

胃JC

Max

200

83.3

Unit

擄C/W

擄C/W

MARKING DIAGRAMS

LM

8050x

YWW

LM8050x = Specific Device Code

x

= I or J

Y

= Year

WW

= Work Week

ORDERING INFORMATION

Device

LM8050I

LM8050J

Package

TO鈥?2

TO鈥?2

Shipping

5000 Units/Box

5000 Units/Box

漏

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

1

August, 2001 鈥?Rev. 0

Publication Order Number:

LM8050I/D

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