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L7833S Datasheet

  • L7833S

  • HEXFETPower MOSFET

  • 12頁

  • IRF

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PD - 94668B
Applications
l
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Consumer Use
Benefits
l
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
l
Ultra-Low Gate Impedance
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
HEXFET
廬
Power MOSFET
IRL7833
IRL7833S
IRL7833L
Qg
32nC
V
DSS
R
DS(on)
max
30V
3.8m
:
TO-220AB
IRL7833
D
2
Pak
IRL7833S
TO-262
IRL7833L
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
P
D
@T
C
= 100擄C
T
J
T
STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Max.
30
鹵 20
150
600
140
72
0.96
-55 to + 175
Units
V
g
Maximum Power Dissipation
g
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
聶
f
110
f
A
W
W/擄C
擄C
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
10 lbf in (1.1N m)
y
y
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
Typ.
Max.
1.04
鈥撯€撯€?/div>
62
40
Units
擄C/W
h
h
鈥撯€撯€?/div>
0.50
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
g脙
Notes
聛
through
聠
are on page 12
www.irf.com
1
4/22/04

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