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KTC4511 Datasheet

  • KTC4511

  • EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH POWER AMPLIFIER)

  • 3頁

  • KEC

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.
FEATURES
銉?/div>
Complementary to KTA1725.
A
U
E
KTC4511
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
C
S
T
L
L
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Power Dissipation (Tc=25鈩?
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
RATING
80
80
6
6
3
30
150
-55錕?frac12;錕?50
UNIT
V
V
V
A
A
W
鈩?/div>
鈩?/div>
O
D
D
N
T
N
T
Q
1
2
3
J
MAXIMUM RATING (Ta=25鈩?
M
DIM MILLIMETERS
A
10.30 MAX
B
15.30 MAX
C
2.70鹵0.30
D
0.85 MAX
E
桅3.20鹵0.20
F
3.00鹵0.30
12.30 MAX
G
0.75 MAX
R
H
13.60鹵0.50
J
K
3.90 MAX
L
1.20
1.30
M
V
N
2.54
4.50鹵0.20
O
P
6.80
2.60鹵0.20
Q
R
10擄
H
S
25擄
5擄
T
U
0.5
V
2.60鹵0.15
F
G
B
K
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
TO-220IS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25鈩?
CHARACTERISTIC
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
Note : h
FE
Classification
SYMBOL
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
(Note)
V
CE(sat)
f
T
C
ob
TEST CONDITION
V
CB
=80V, I
E
=0
V
EB
=6V, I
C
=0
I
C
=25mA, I
B
=0
V
CE
=4V, I
C
=2A
I
C
=2A, I
B
=0.2A
V
CE
=12V, I
C
=0.5A
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
MIN.
-
-
80
55
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
20
150
MAX.
10
10
-
160
0.5
-
-
V
MHz
pF
UNIT
渭
A
渭
A
V
R:55~110, O:80~160.
2002. 6. 5
Revision No : 0
P
1/3

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    KEC
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    EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (TV TUNER, UHF OSCILLATOR, T...
    KEC [KEC(K...
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    EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
    KEC
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