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KTC2815D Datasheet

  • KTC2815D

  • EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, POWER SWIT...

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  • KEC

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
POWER AMPLIFIER APPLICATION.
POWER SWITCHING APPLICATION.
A
KTC2815D/L
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
I
J
FEATURES
Low Collector Saturation Voltage
: V
CE(sat)
=0.5V(Max.) (I
C
=1A)
Q
C
K
Complementary to KTA1718D/L.
H
F
1
2
F
3
E
M
High Speed Switching Time : t
stg
=1 S(Typ.)
P
L
DIM
A
B
C
D
E
F
H
I
J
K
L
M
O
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60 + 0.2
_
6.10 + 0.2
_
5.0 + 0.2
_
1.10 + 0.2
_
2.70 + 0.2
_
2.30 + 0.1
1.00 MAX
_
2.30 + 0.2
_
0.5 + 0.1
_
2.00 + 0.20
_
0.50 + 0.10
_
0.91+ 0.10
_
0.90 + 0.1
_
1.00 + 0.10
0.95 MAX
B
D
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Emitter Current
Collector Power
Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Ta=25
Tc=25
)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
E
P
C
T
j
T
stg
RATING
50
50
5
2
-2
1.0
10
150
-55 150
UNIT
V
V
V
A
A
W
Q
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
DPAK
A
C
I
J
D
O
H
G
P
F
F
L
1
2
3
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60
+
0.2
_
6.10
+
0.2
_
5.0
+
0.2
_
1.10
+
0.2
_
9.50
+
0.6
_
2.30
+
0.1
_
0.76
+
0.1
1.0 MAX
_
2.30
+
0.2
_
0.5
+
0.1
_
2.0
+
0.2
_
0.50
+
0.1
_
1.0
+
0.1
0.90 MAX
K
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
E
B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
Turn On Time
Switching
Time
Storage Time
Fall Time
Note : h
FE
(1) Classification
2003. 3. 27
O:70~140, Y:120~240.
SYMBOL
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
(1) (Note)
h
FE
2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
t
on
t
stg
t
f
I
B1
IPAK
TEST CONDITION
V
CB
=50V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
V
CE
=2V, I
C
=0.5A
V
CE
=2V, I
C
=1.5A
I
C
=1A, I
B
=0.05A
I
C
=1A, I
B
=0.05A
V
CE
=2V, I
C
=0.5A
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
20碌sec
INPUT
I
B2
I
B1
=-I
B2
=-0.05A
DUTY CYCLE < 1%
=
OUTPUT
I
B1
30鈩?/div>
I
B2
MIN.
-
-
50
70
40
-
-
-
-
-
-
-
TYP. MAX. UNIT
-
-
-
-
-
-
-
100
30
0.1
1.0
0.1
0.1
0.1
-
240
-
0.5
1.2
-
-
-
-
-
S
A
A
V
V
V
MHz
pF
V
CC
=30V
Revision No : 3
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    EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
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    KEC [KEC(K...
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    KEC [KEC(K...
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    EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE DPAK FOR SV...
    KEC
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    KEC [KEC(K...
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    2SC3229
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    2SC3229
    KEC [KEC(K...
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    TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(CB TRANSCEIVER TX FINAL, AMPL...
    KEC
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    TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(CB TRANSCEIVER TX FINAL, AMPL...
    KEC [KEC(K...
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    SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE (PCT PROCESS)
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    SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE (PCT PROCESS)
    KEC [KEC(K...
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    SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE (PCT PROCESS)
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