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KTA2014W Datasheet

  • KTA2014W

  • Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited [PNP Silicon Epitaxi...

  • BILIN

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BL
Galaxy Electrical
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
Power dissipation.(P
C
=200mW)
Excellent h
FE
Linearity.
Complementary to KTC4075.
Small package.
Production specification
KTA2014W
Pb
Lead-free
APPLICATIONS
General purpose application and switching application.
SOT-323
ORDERING INFORMATION
Type No.
KTA2014W
Marking
SO鈻?SY鈻?SG鈻?/div>
Package Code
SOT-323
MAXIMUM RATING
@ Ta=25鈩?unless otherwise specified
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j,
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Value
-50
Units
V
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
-50
-5
-150
V
V
mA
Collector Dissipation
Junction and Storage Temperature
100
-55~150
mW
鈩?/div>
Document number: BL/SSSTF047
Rev.A
www.galaxycn.com
1

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    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
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    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
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    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING)
    KEC
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    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
    KEC
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    Low frequency power amplifier application 􀁺 Power ...
    金譽(yù)
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    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
    KEC [KEC(K...
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    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
    KEC
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    TRANSISTOR (PNP)
    金譽(yù)
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    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
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    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (LOW NOISE AMPLIFIER)
    KEC
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    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (LOW NOISE AMPLIFIER)
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    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (DIFFERENTIAL AMP.)
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