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KTA1807L Datasheet

  • KTA1807L

  • TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE SWITCHING POWER ...

  • 4頁(yè)

  • KEC

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
HIGH VOLTAGE SWITCHING.
POWER SUPPLY SWITCHING FOR TELEPHONES.
FEATURES
High Voltage : V
CEO
=-600V.
High Speed Switching Time.
: t
f
1.0 s (I
C
=-0.5A)
Low Collector Emitter Saturation Voltage.
: V
CE(sat)
=-0.28V (I
C
=-0.3A, I
B
=-60mA)
Wide Safe Operating Area (SOA).
Q
A
C
KTA1807D/L
TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
I
J
H
F
1
2
F
3
P
L
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltag
Collector Current
DC
Pulse
*
)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
stg
RATING
-600
-600
-7
-1.0
-2.0
1.0
150
-55 150
UNIT
V
V
V
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
DIM
A
B
C
D
E
F
H
I
J
K
L
M
O
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60 + 0.2
_
6.10 + 0.2
_
5.0 + 0.2
_
1.10 + 0.2
_
2.70 + 0.2
_
2.30 + 0.1
1.00 MAX
_
2.30 + 0.2
_
0.5 + 0.1
_
2.00 + 0.20
_ 0.10
0.50 +
_
0.91+ 0.10
_
0.90 + 0.1
_
1.00 + 0.10
0.95 MAX
B
K
E
M
D
DPAK
A
W
A
C
I
J
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
* PW
10ms, Duty Cycle
50%.
B
D
O
H
G
P
F
F
L
1
2
3
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60
+
0.2
_
6.10
+
0.2
_
5.0
+
0.2
_
1.10
+
0.2
_
9.50
+
0.6
_
2.30
+
0.1
_
0.76
+
0.1
1.0 MAX
_
2.30
+
0.2
_
0.1
0.5
+
_
2.0
+
0.2
_
0.50
+
0.1
_
1.0
+
0.1
0.90 MAX
Q
K
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
E
IPAK
2003. 3. 27
Revision No : 2
1/4

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