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KSP6520 Datasheet

  • KSP6520

  • Amplifier Transistor

  • 3頁(yè)

  • FAIRCHILD

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KSP6520/6521
KSP6520/6521
Amplifier Transistor
鈥?Collector-Emitter Voltage: V
CEO
=25V
鈥?Collector Power Dissipation: P
C
(max)=625mW
1
TO-92
1. Emitter 2. Base 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Value
40
25
4
100
625
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
擄C
擄C
Electrical Characteristics
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
: KSP6520
: KSP6521
: KSP6520
: KSP6521
V
CE
(sat)
C
ob
NF
Collector-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
Noise Figure
I
C
=100碌A(chǔ), V
CE
=10V
I
C
=2mA, V
CE
=10V
I
C
=50mA, I
B
=5mA
V
CB
=10V, I
E
=0
f=100KHz
I
C
=10碌A(chǔ), V
CE
=5V
R
S
=10K鈩?/div>
f=10Hz to 10KHz
100
150
200
300
Test Condition
I
C
=0.5mA, I
B
=0
I
C
=10, I
C
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
CE
=20V, I
E
=0
Min.
25
4
50
50
Typl
Max.
Units
V
V
nA
nA
400
600
0.5
3.5
3
V
pF
dB
漏2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, September 2002

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    ETC [KS SERIES KEY SWITCHES]
    ETC
  • 英文版
    Darlington Transistor
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Darlington Transistor
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    Darlington Transistor
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Darlington Transistor
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    Darlington Transistor
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Darlington Transistor
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    Amplifier Transistor
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Amplifier Transistor
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    Amplifier Transistor
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Amplifier Transistor
    FAIRCHILD ...

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