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KSP24 Datasheet

  • KSP24

  • VHF Transistor

  • 5頁

  • FAIRCHILD

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KSP24
KSP24
VHF Transistor
1
TO-92
1. Base 2. Emitter 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
R
TH
(j-a)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation (T
a
=25擄C)
Derate Above 25擄C
Junction Temperature
Storage Temperature
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Parameter
Value
40
30
4.0
100
350
2.8
135
-55~150
357
Units
V
V
V
mA
mW
mW/擄C
擄C
擄C
擄C/W
Electrical Characteristics
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
f
T
C
ob
G
CE
G
CE
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Conversion Gain (213 to 45MHz)
Conversion Gain (60 to 45MHz)
Test Condition
I
C
=100碌A(chǔ), I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=10碌A(chǔ), I
C
=0
V
CB
=15V, I
E
=0
V
CE
=10V, I
C
=8mA
V
CE
=10V, I
C
=8mA,
f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CC
=20V, I
C
=8mA
Oscillator Injection=150mV
V
CC
=20V, I
C
=8mA
Oscillator Injection=150mV
19
24
30
400
620
0.25
24
29
0.36
MHz
pF
dB
dB
Min.
40
30
4.0
50
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
漏2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001

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