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KSP14 Datasheet

  • KSP14

  • Darlington Transistor

  • 35.58KB

  • 4頁

  • FAIRCHILD

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KSP13/14
KSP13/14
Darlington Transistor
鈥?Collector-Emitter Voltage: V
CES
=30V
鈥?Collector Power Dissipation: P
C
(max)=625mW
1
TO-92
1. Emitter 2. Base 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Value
30
30
10
500
625
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
擄C
擄C
Electrical Characteristics
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
BV
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
: KSP13
: KSP14
: KSP13
: KSP14
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
V
CE
=5V, I
C
=10mA
V
CE
=5V, I
C
=100mA
I
C
=100mA, I
B
=0.1mA
V
CE
=5V, I
C
=100mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
f=100MHz
125
5K
10K
10K
20K
1.5
2.0
V
V
MHz
Test Condition
I
C
=100碌A(chǔ), I
B
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
EB
=10V, I
C
=0
Min.
30
Max.
100
100
Units
V
nA
nA
* Pulse Test: Pulse Width鈮?00碌s, Duty Cycle鈮?%
漏2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002

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