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KSE13009 Datasheet

  • KSE13009

  • High Voltage Switch Mode Application

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  • FAIRCHILD

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KSE13008/13009
KSE13008/13009
High Voltage Switch Mode Application
鈥?High Speed Switching
鈥?Suitable for Switching Regulator and Motor Control
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN Silicon Transisor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
: KSE13008
: KSE13009
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KSE13008
: KSE13009
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
300
400
9
12
24
6
100
150
- 65 ~ 150
V
V
V
A
A
A
W
擄C
擄C
600
700
V
V
Parameter
Value
Units
Electrical Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
(sus)
Parameter
Collector-Emitter Sustaining Voltage
: KSE13008
: KSE13009
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
* Collector-Emitter Saturation Voltage
Test Condition
I
C
= 10mA, I
B
= 0
V
EB
= 9V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 5A
V
CE
= 5V, I
C
= 8A
I
C
= 5A, I
B
= 1A
I
C
= 8A, I
B
= 1.6A
I
C
= 12A, I
B
= 3A
I
C
= 5A, I
B
= 1A
I
C
= 8A, I
B
= 1.6A
V
CB
= 10V, f = 0.1MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 0.5A
V
CC
= 125V, I
C
= 8A
I
B1
= - I
B2
= 1.6A
R
L
= 15,6鈩?/div>
4
1.1
3
0.7
180
8
6
Min.
300
400
1
40
30
1
1.5
3
1.2
1.6
V
V
V
V
V
pF
MHz
碌s
碌s
碌s
Typ.
Max.
Units
V
V
mA
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
C
ob
f
T
t
ON
t
STG
t
F
* Base-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Turn On Time
Storage Time
Fall Time
* Pulse test: PW鈮?00碌s, Duty cycle鈮?%
漏2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, January 2001

KSE13009 產(chǎn)品屬性

  • Fairchild Semiconductor

  • NPN

  • 400 V

  • 9 V

  • 12 A

  • 8

  • Single

  • 4 MHz

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-220

  • - 65 C

  • 100000 mW

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