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KSD1944 Datasheet

  • KSD1944

  • High Gain Power Transistor

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  • FAIRCHILD

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KSD1944
KSD1944
High Gain Power Transistor
1
TO-220F
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (T
C
=25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Value
80
60
8
3
30
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
擄C
擄C
Electrical Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
BV
CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
(sat)
V
CE
(sat)
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Test Condition
I
C
= 25mA, I
B
= 0
V
CB
= 80V, I
E
= 0
V
EB
= 8V, I
C
= 0
V
CE
= 4V, I
C
= 0.5A
I
C
= 2A, I
B
= 0.05A
I
C
= 2A, I
B
= 0.05A
400
Min.
60
Max.
100
10
2000
1.5
1
V
V
Units
V
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
漏2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000

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