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KSD1020 Datasheet

  • KSD1020

  • Audio Frequency Amplifier

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  • FAIRCHILD

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KSD1020
KSD1020
Audio Frequency Amplifier
鈥?Complement to KSB810
1
TO-92S
1.Emitter 2. Collector 3. Base
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
* Collector Current (Pulse)
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Ratings
30
25
5.0
700
1.0
350
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
A
mW
擄C
擄C
* PW鈮?0ms, Duty Cycle鈮?0%
Electrical Characteristics
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
BE
(on)
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
C
ob
f
T
Parameter
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
Base-Emitter On Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Test Condition
V
CB
=30V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=1V, I
C
=100mA
V
CE
=1V, I
C
=700mA
V
CE
=6V, I
C
=10mA
I
C
=700mA, I
B
=70mA
I
C
=700mA, I
B
=70mA
V
CB
=6V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
=6V, I
C
=10mA
50
120
35
600
200
140
640
0.2
0.95
13
170
Min.
Typ.
Max.
100
100
400
700
0.4
1.2
25
mV
V
V
pF
MHz
Units
nA
nA
* Pulse Test: PW鈮?50碌s, Duty Cycle鈮?2%
h
FE1
Classification
Classification
h
FE1
Y
120 ~ 240
G
200 ~ 400
漏2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B2, April 2004

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