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KSC5321 Datasheet

  • KSC5321

  • High Voltage and High Reliability

  • 6頁

  • FAIRCHILD

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KSC5321
KSC5321
High Voltage and High Reliability
鈥?High speed Switching
鈥?Wide Safe Operating Area
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
STG
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current (DC)
*Base Current (Pulse)
Power Dissipation(T
C
=25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
800
500
7
5
10
2
4
100
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
A
W
擄C
擄C
* Pulse Test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle鈮?0%
Thermal Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
R
胃jc
R
胃ja
Thermal Resistance
Characteristics
Junction to Case
Junction to Ambient
Rating
1.25
62.5
Unit
擄C/W
漏2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000

KSC5321 產(chǎn)品屬性

  • Fairchild Semiconductor

  • NPN

  • 500 V

  • 7 V

  • 5 A

  • 15

  • 14 MHz

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-220

  • Bulk

  • 100000 mW

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