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KSC3296 Datasheet

  • KSC3296

  • Power Amplifier Applications

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  • FAIRCHILD

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KSC3296
KSC3296
Power Amplifier Applications
鈥?Complement to KSA1304
1
TO-220F
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current(DC)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Value
150
150
5
1.5
0.5
20
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
擄C
擄C
Electrical Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
Parameter
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter ON Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Test Condition
V
CB
= 120V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 500mA
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
V
CE
= 10V, I
C
= 500mA
V
CE
= 10V, I
C
= 500mA
V
CB
= 10V, f = 1MHz
0.65
0.75
4
35
40
75
Min.
Typ.
Max.
10
10
140
1.5
0.85
V
V
MHz
pF
Units
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
漏2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000

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