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KSB1121STM Datasheet

  • KSB1121STM

  • Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-El...

  • 431.15KB

  • 5頁

  • FAIRCHILD

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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KSB1121 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
July 2005
KSB1121
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
High Current Driver Applications
鈥?Low Collector-Emitter Saturation Voltage
鈥?Large Current Capacity
鈥?Fast Switching Speed
鈥?Complement to KSD1621
Marking
1 1
P Y
1
2 1
W W
Weekly code
Year code
h
FE
grage
SOT-89
1. Base 2. Collector 3. Emitter
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
P
C
*
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
T
a
= 25擄C unless otherwise noted
Parameter
Ratings
-30
-25
-6
-2
500
1.3
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
mW
W
擄C
擄C
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
* Mounted on Ceramic Board (250mm
2
x 0.8mm)
Electrical Characteristics
T
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
a
=
25擄C unless otherwise noted
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Test Condition
I
C
= -10碌A(chǔ), I
E
= 0
I
C
= -1mA, I
B
= 0
I
E
= -10碌A(chǔ), I
C
= 0
V
CB
= -20V, I
E
= 0
V
BE
= -4V, I
C
= 0
V
CE
= -2V, I
C
= -0.1A
V
CE
= -2V, I
C
= -1.5A
I
C
= -1.5A, I
B
= -75mA
I
C
= -1.5A, I
B
= -75mA
Min.
-30
-25
-6
Typ.
Max.
Units
V
V
V
-100
-100
100
65
-0.35
-0.85
560
-0.6
-1.2
nA
nA
V
V
漏2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
KSB1121 Rev. B1

KSB1121STM 產(chǎn)品屬性

  • 4,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP

  • 2A

  • 25V

  • 600mV @ 75mA，1.5A

  • -

  • 140 @ 100mA，2V

  • 1.3W

  • 150MHz

  • 表面貼裝

  • TO-243AA

  • SOT-89-3

  • 帶卷 (TR)

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