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KRC828E Datasheet

  • KRC828E

  • EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUI...

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  • KEC

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING APPLICATION.
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.
FEATURES
With Built-in Bias Resistors.
A1
A
KRC827E~KRC829E
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
B
B1
Simplify Circuit Design.
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.
High Packing Density.
C
1
6
C
2
5
3
4
P
P
DIM
A
A1
B
B1
C
D
H
J
P
MILLIMETERS
_
1.6 + 0.05
_
1.0 + 0.05
_
1.6 + 0.05
_
1.2 + 0.05
0.50
_
0.2 + 0.05
_
0.5 + 0.05
_
0.12 + 0.05
5
EQUIVALENT CIRCUIT
OUT
R1
R2
BIAS RESISTOR VALUES
TYPE NO.
KRC827E
10
22
47
47
47
22
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Q
1
Q
2
Q
2
Q
2
Q
1
Q
1
COMMON (EMITTER)
COMMON (EMITTER)
IN (BASE)
OUT (COLLECTOR)
IN (BASE)
OUT (COLLECTOR)
J
R1(k )
R2(k
)
IN
KRC828E
KRC829E
COMMON
H
TES6
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)
6
5
4
Q1
D
Q2
MAXIMUM RATING (Ta=25
Output Voltage
)
SYMBOL
KRC827E 829E
KRC827E
V
O
1
2
3
CHARACTERISTIC
RATING
50
30, -6
UNIT
V
Input Voltage
KRC828E
KRC829E
V
I
40, -7
40,-15
V
Output Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
* Total Rating.
KRC827E 829E
I
O
P
D
*
T
j
T
stg
100
200
150
-55 150
mA
mW
Marking
MARK SPEC
TYPE
MARK
KRC827E
YH
KRC828E
YI
KRC829E
YJ
1
2
3
6
5
4
Type Name
2002. 1. 24
Revision No : 1
1/4

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