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KRC282M Datasheet

  • KRC282M

  • EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, AUDIO MUTING)

  • 2頁

  • KEC

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING APPLICATION.
AUDIO MUTING APPLICATION.
FEATURES
High emitter-base voltage : V
EBO
=25V(Min)
High reverse h
FE
: reverse h
FE
=150(Typ.) (V
CE
=-2V, I
C
=-4mA)
Low on resistance : R
on
=1 (Typ.) (I
B
=5mA)
With Built-in Bias Resistors.
Simplify Circuit Design.
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.
C
H
KRC281M~KRC286M
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
B
A
O
M
EQUIVALENT CIRCUIT
J
E
E
C
B
R1
1
L
2
3
N
DIM MILLIMETERS
A
3.20 MAX
B
4.30 MAX
C
0.55 MAX
_
D
2.40 + 0.15
E
1.27
F
2.30
_
G
14.00 + 0.50
H
0.60 MAX
J
1.05
K
1.45
L
25
0.80
M
N
0.55 MAX
O
0.75
F
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
K
E
MAXIMUM RATING (Ta=25
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
RATING
50
20
25
300
400
150
-55 150
UNIT
V
V
V
mA
W
CHARACTERISTIC
2002. 12. 5
Revision No : 1
D
G
TO-92M
1/2

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