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KRA558E Datasheet

  • KRA558E

  • EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUI...

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING APPLICATION.
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.
KRA557E~KRA559E
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
B
FEATURES
With Built-in Bias Resistors
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process
High Packing Density.
A1
A
C
B1
Simplify Circuit Design
1
5
DIM
A
A1
B
2
3
4
B1
C
D
H
J
P
MILLIMETERS
_
1.6 + 0.05
_
1.0 + 0.05
_
1.6 + 0.05
_
1.2+ 0.05
0.50
_
0.2 + 0.05
_ 0.05
0.5 +
_
0.12 + 0.05
5
C
EQUIVALENT CIRCUIT
OUT
R1
R2
BIAS RESISTOR VALUES
TYPE NO.
KRA557E
R1(k
10
22
47
)
R2(k
47
47
22
)
H
P
P
IN
KRA558E
KRA559E
1. Q
1
IN (BASE)
2. Q
1
, Q
2
COMMON (EMITTER)
3. Q
2
IN (BASE)
4. Q
2
OUT (COLLECTOR)
5. Q
1
OUT (COLLECTOR)
COMMON(+)
TESV
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)
5
4
Q1
J
D
Q2
MAXIMUM RATING (Ta=25
Output Voltage
)
SYMBOL
KRA557E
559E
V
O
1
2
3
CHARACTERISTIC
RATING
-50
-30, 6
UNIT
V
KRA557E
Input Voltage
KRA558E
KRA559E
Output Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
* Total Rating.
KRA557E
559E
I
O
P
D
*
T
j
T
stg
V
I
-40, 7
-40, 15
-100
200
150
-55
150
V
mA
mW
Marking
MARK SPEC
TYPE
MARK
KRA557E
PH
KRA558E
PI
KRA559E
PJ
5
4
Type Name
1
2
3
2002. 1. 24
Revision No : 1
1/4

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