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KMB014P30QA Datasheet

  • KMB014P30QA

  • P-Ch Trench MOSFET

  • 465.88KB

  • 4頁

  • KEC

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
GENERAL DESCRIPTION
This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low
on resistance,, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly
suitable for portable for portable equipment and SMPS.
D
KMB014P30QA
P-Ch Trench MOSFET
H
T
P
G
L
FEATURES
V
DSS
=-30V, I
D
=-14A.
Drain-Source ON Resistance.
R
DS(ON)
=10m (Max.) @ V
GS
=-10V
R
DS(ON)
=18m (Max.) @ V
GS
=-4.5V
Super High Dense Cell Design
1
4
B1 B2
8
5
A
MOSFET Maximum Ratings (Ta=25
CHARACTERISTIC
Drain Source Voltage
Gate Source Voltage
DC
Drain Current
Pulsed
Drain Source Diode Forward Current
Drain Power Dissipation
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Note : *Surface Mounted on FR4 Board
Unless otherwise noted)
SYMBOL PATING
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DP
I
S
P
D
*
T
j
T
stg
R
thJA
*
-30
25
-14
-70
-1.7
2.5
150
-55~150
50
/W
UNIT
V
V
A
A
A
W
DIM
A
B1
B2
D
G
H
L
P
T
MILLIMETERS
_
4.85
+
0.2
_
3.94
+
0.2
_
0.3
6.02
+
_
0.4
+
0.1
0.15+0.1/-0.05
_
1.63
+
0.2
_
0.65
+
0.2
1.27
0.20+0.1/-0.05
FLP-8
KMB014P
30QA
706
PIN CONNECTION (TOP VIEW)
S
S
S
G
1
8
D
D
D
D
1
2
3
8
7
6
5
2
7
3
6
4
4
5
2007. 6. 29
Revision No : 1
1/4

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