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KDV257E Datasheet

  • KDV257E

  • VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VC...

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  • KEC

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
VCO FOR UHF/VHF BAND.
FEATURES
KDV257E
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
CATHODE MARK
Low Series Resistance : r
s
=0.50
(Max.)
C
1
E
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC
Reverse Voltage
Junction Temperature
Storage Temperature Range
)
SYMBOL
V
R
T
j
T
stg
RATING
10
150
-55 150
UNIT
V
2
D
F
B
A
1. ANODE
2. CATHODE
DIM
A
B
C
D
E
F
MILLIMETERS
_
1.60 + 0.10
_ 0.10
1.20 +
_
0.80 + 0.10
_ 0.05
0.30 +
_
0.60 + 0.10
_ 0.05
0.13 +
ESC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Reverse Voltage
Reverse Current
Capacitance
Capacitance Ratio
Series Resistance
SYMBOL
V
R
I
R
C
1V
C
2V
K
r
S
I
R
=1 A
V
R
=10V
V
R
=1V, f=1MHz
V
R
=2V, f=1MHz
-
V
R
=1V, f=470MHz
TEST CONDITION
MIN.
10
-
19.5
14.3
1.3
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
MAX.
-
10
23.5
17.6
-
0.5
UNIT
V
nA
pF
Marking
Type Name
E A
2001. 6. 11
Revision No : 0
1/2

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