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KDV239E Datasheet

  • KDV239E

  • VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VC...

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  • KEC

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
VCO FOR UHF RADIO.
FEATURES
Small Package. (ESC Package)
KDV239E
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
CATHODE MARK
Ultra Low Series Resistance : r
S
=0.44 (Typ.)
C
1
E
2
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC
Reverse Voltage
Junction Temperature
Storage Temperature Range
)
SYMBOL
V
R
T
j
T
stg
RATING
15
150
-55 150
UNIT
V
D
F
B
A
1. ANODE
2. CATHODE
DIM
A
B
C
D
E
F
MILLIMETERS
_
1.60 + 0.10
_ 0.10
1.20 +
_
0.80 + 0.10
_ 0.05
0.30 +
_
0.60 + 0.10
_
+ 0.05
0.13
ESC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
CHARACTERISTIC
Reverse Voltage
Reverse Current
Capacitance
Capacitance Ratio
Series Resistance
V
R
I
R
C
2V
C
10V
K
r
S
)
TEST CONDITION
I
R
=1 A
V
R
=15V
V
R
=2V, f=1MHz
V
R
=10V, f=1MHz
C
2V
/C
10V
, f=1MHz
V
R
=1V, f=470MHz
MIN.
15
-
3.8
1.5
2.0
-
TYP.
-
-
4.25
1.75
2.4
0.44
MAX.
-
3
4.7
2.0
-
0.6
UNIT
V
nA
pF
SYMBOL
Marking
Type Name
UJ
2000. 3. 7
Revision No : 0
1/2

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