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KDV214 Datasheet

  • KDV214

  • VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TV...

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
TV TUNING.
FEATURES
銉籋igh
Capacitance Ratio : C2V/C25V=6.5(Typ.)
銉籐ow
Series Resistance : r
S
=0.4鈩?Typ.)
銉籈xcellent
C-V Characteristics, and Small Tracking Error.
銉籙seful
for Small Size Tuner.
KDV214
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
CATHODE MARK
B
1
G
K
A
H
E
2
D
J
C
I
MAXIMUM RATING (Ta=25鈩?
CHARACTERISTIC
Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
V
R
V
RM
T
j
T
stg
RATING
30
35 (R
L
=10k鈩?
125
-55錕?frac12;錕?25
UNIT
V
V
鈩?/div>
鈩?/div>
M
M
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
MILLIMETERS
_
2.50 + 0.1
_ 0.05
1.25 +
_
0.90 + 0.05
0.30+0.06/-0.04
_
1.70 + 0.05
MIN 0.17
_
0.126 + 0.03
0~0.1
1.0 MAX
_
0.15 + 0.05
_
0.4 + 0.05
2 +4/-2
4~6
1. ANODE
2. CATHODE
USC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25鈩?
CHARACTERISTIC
Reverse Voltage
Reverse Current
Capacitance
Capacitance
Capacitance Ratio
Series Resistance
SYMBOL
V
R
I
R
C
2V
C
25V
C
2V
/C
25V
r
S
V
R
=5V, f=470MHz
I
R
=1渭
A
V
R
=28V
V
R
=2V, f=1MHz
V
R
=25V, f=1MHz
TEST CONDITION
MIN.
30
-
14.16
2.11
5.90
-
TYP.
-
-
-
-
6.50
0.4
MAX.
-
10
16.25
2.43
7.15
0.55
UNIT
V
nA
pF
pF
-
鈩?/div>
Note : Available in matched group for capacitance to 2.5%.
C(Max.)-C(Min.)
鈮?.025
C(Min.)
(V
R
=2~25V)
Marking
Type Name
UO
2002. 6. 14
Revision No : 2
F
L
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