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KDV1471 Datasheet

  • KDV1471

  • VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

  • 74.21KB

  • 2頁

  • KEC

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
FM RADIO BAND TUNING APPLICATION.
FEATURES
High Capacitance Ratio : C
1V
/C
5V
=5.0(Min.)
Excellent C-V Characteristics.
Variations of Capacitance Values is Little.
A
KDV1471
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
L
E
B
L
DIM
A
D
B
C
D
E
G
H
J
K
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30 MAX
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 - 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
G
Small Package.
2
H
1
3
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC
Reverse Voltage
Junction Temperature
Storage Temperature Range
)
SYMBOL
V
R
T
j
T
stg
RATING
16
150
-55
150
UNIT
V
C
N
P
P
L
M
N
P
M
3
1. ANODE
2. NC
3. CATHODE
2
1
K
SOT-23
GRADE
A
B
C
CAPACITANCE(C
IV
)
30.16~33.63
33.30~37.13
36.77~40.99
Type Name
UNIT
pF
Marking
Grade
Lot No.
W3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Reverse Voltage
Reverse Current
Capacitance
Capacitance Ratio
Series Resistance
SYMBOL
V
R
I
R
C
1V
C
4.5V
K
r
S
TEST CONDITION
I
R
=10 A
V
R
=10V
V
R
=1V, f=1MHz
V
R
=4.5V, f=1MHz
C
1V
/C
5V
, f=1MHz
V
R
=1.5V, f=100MHz
MIN.
16
-
30.16
6.2
5.0
-
TYP.
-
-
35.60
7.7
-
0.8
MAX.
-
50
40.99
9.2
-
1.0
UNIT
V
nA
pF
2001. 5. 28
Revision No : 1
J
1/2

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