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KDR331V Datasheet

  • KDR331V

  • SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(HIGH SPEED SWITCHING)

  • 2頁(yè)

  • KEC

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
HIGH SPEED SWITCHING.
FEATURES
Low Forward Voltage : V
F
=0.25(Typ.) @I
F
=5mA
Very Small Package : VSM.
2
KDR331V
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
E
B
1
3
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC
Maximum (Peak) Reverse Voltage
Reverse Voltage
Maximum (Peak) Forward Current
Average Forward Current
Surge Current (10ms)
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Operating Temperature Range
)
SYMBOL
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
D
T
j
T
stg
T
opr
RATING
15
10
100 *
50 *
1*
100
125
-55
-40
125
100
UNIT
P
P
V
V
mA
mA
A
mW
1. ANODE 1
2. ANODE 2
3. CATHODE
C
DIM MILLIMETERS
_
A
1.2 +0.05
_
B
0.8 +0.05
_
C
0.5 + 0.05
_
D
0.3 + 0.05
_
E
1.2 + 0.05
_
0.8 + 0.05
G
0.40
H
_
0.12 + 0.05
J
_
K
0.2 + 0.05
P
5
A
G
H
K
J
D
3
2
1
VSM
* : Unit Rating. Total Rating=Unit Rating 1.5
Marking
Type Name
UW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
V
F(1)
Forward Voltage
V
F(2)
V
F(3)
Reverse Current
Total Capacitance
I
R
C
T
I
F
=1mA
I
F
=5mA
I
F
=50mA
V
R
=10V
V
R
=0V, f=1MHz
TEST CONDITION
MIN.
-
-
-
-
-
TYP.
0.21
0.25
0.35
-
13
MAX.
-
0.30
0.50
20
40
A
pF
V
UNIT
2001. 7. 25
Revision No : 0
1/2

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