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KDR322 Datasheet

  • KDR322

  • SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HI...

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING.
KDR322
SILICON EPITAXIAL
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
FEATURES
Low Forward Voltage : V
F
=0.54V (Typ.).
A
E
M
B
M
Low Reverse Current : I
R
=5 A (Max.).
Small Package : USM.
2
D
3
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
1
MILLIMETERS
_
2.00 + 0.20
_
1.25 + 0.15
_
0.90 + 0.10
0.3+0.10/-0.05
_
2.10 + 0.20
0.65
0.15+0.1/-0.06
1.30
0.00-0.10
0.70
_
0.42 + 0.10
0.10 MIN
J
G
C
L
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC
Maximum (Peak) Reverse Voltage
Reverse Voltage
Maximum (Peak) Forward Current
Average Forward Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
)
SYMBOL
V
RM
V
R
I
FM
I
O
P
D
T
j
T
stg
RATING
45
40
300
100
100
125
-55
125
UNIT
V
V
mA
mA
mW
H
N
K
N
L
M
N
3
1. N.C
2. ANODE
3. CATHODE
2
1
USM
Marking
UL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
V
F
(1)
Forward Voltage
V
F
(2)
V
F
(3)
Reverse Current
Total Capacitance
I
R
C
T
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
V
R
=40V
V
R
=0, f=1MHz
TEST CONDITION
MIN.
-
-
-
-
-
TYP.
0.28
0.36
0.54
-
18
MAX.
-
-
0.60
5
25
A
pF
V
UNIT
2001. 12. 4
Revision No : 2
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