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JDV2S10T Datasheet

  • JDV2S10T

  • VCO for UHF Band Radio

  • 95.67KB

  • 4頁

  • TOSHIBA

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JDV2S10T
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
JDV2S10T
VCO for UHF Band Radio
路
路
路
High capacitance ratio: C
0.5 V
/C
2.5 V
= 2.5 (typ.)
Low series resistance: r
s
= 0.35
鈩?/div>
(typ.)
Useful for small size tuner.
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Reverse voltage
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
R
T
j
T
stg
Rating
10
125
-55~125
Unit
V
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
1-1H1A
Electrical Characteristics
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Reverse voltage
Reverse current
Capacitance
Capacitance
Capacitance ratio
Series resistance
Symbol
V
R
I
R
C
0.5 V
C
2.5 V
C
0.5 V
/C
2.5 V
r
s
I
R
=
1
mA
V
R
=
10 V
V
R
=
0.5 V, f
=
1 MHz
V
R
=
2.5 V, f
=
1 MHz
戮
V
R
=
1 V, f
=
470 MHz
Test Condition
Weight: 0.0013 g (typ.)
Min
10
戮
7.3
2.75
2.4
戮
Typ.
戮
戮
戮
戮
2.5
0.35
Max
戮
3
8.4
3.4
戮
0.5
Unit
V
nA
pF
pF
戮
W
Note: Signal level when capacitance is measured: Vsig
=
500 mVrms
Marking
1
2003-03-24

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