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JDV2S06S Datasheet

  • JDV2S06S

  • TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type

  • 3頁

  • TOSHIBA

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JDV2S06S
TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type
JDV2S06S
VCO for UHF Band Radio
路
路
路
High Capacitance Ratio : C
1V
/C
4V
= 2.0 (typ.)
Low Series Resistance : r
s
= 0.27
鈩?/div>
(typ.)
This device is suitable for use in a small-size tuner.
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Reverse voltage
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
R
T
j
T
stg
Rating
10
150
-55~150
Unit
V
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
1-1K1A
Weight: 0.0011 g (typ.)
Electrical Characteristics
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Reverse voltage
Reverse current
Capacitance
Capacitance ratio
Series resistance
Symbol
V
R
I
R
C
1V
C
4V
C
1V
/C
4V
r
s
I
R
=
1
mA
V
R
=
10 V
V
R
=
1 V, f
=
1 MHz
V
R
=
4 V, f
=
1 MHz
戮
V
R
=
1 V, f
=
470 MHz
Test Condition
Min
10
戮
15
7.0
1.8
戮
Typ.
戮
戮
16
8.0
2.0
0.27
Max
戮
3
17
8.5
戮
0.45
Unit
V
nA
pF
戮
W
Note: Signal level when capacitance is measured: V
sig
=
500 mVrms
Marking
A
1
2002-01-23

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