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JDV2S01E Datasheet

  • JDV2S01E

  • VCO for UHF band

  • 91.66KB

  • 4頁

  • TOSHIBA

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JDV2S01E
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
JDV2S01E
VCO for UHF band
Unit: mm
Small Package
High Capacitance Ratio: C
1V
/C
4V
= 2.0 (typ.)
Low Series Resistance: r
s
= 0.5
鈩?/div>
(typ.)
路
路
路
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Reverse voltage
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
R
T
j
T
stg
Rating
10
125
-55~125
Unit
V
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
1-1G1A
Electrical Characteristics
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Reverse voltage
Reverse current
Capacitance
Capacitance ratio
Series resistance
Symbol
V
R
I
R
C
1V
C
4V
C
1V
/C
4V
r
s
I
R
=
1
mA
V
R
=
10 V
V
R
=
1 V, f
=
1 MHz
V
R
=
4 V, f
=
1 MHz
戮
V
R
=
1 V, f
=
470 MHz
Test Condition
Weight: 0.0014 g
Min
10
戮
2.85
1.35
1.8
戮
Typ.
戮
戮
3.15
1.57
2
0.5
Max
戮
3
3.45
1.81
戮
0.7
Unit
V
nA
pF
戮
W
Note: Signal level when capacitance is measured. V
sig
=
100 mV
rms
Marking
FA
1
2002-01-16

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