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JDP4P02U Datasheet

  • JDP4P02U

  • UHF~VHF Band RF Attenuator Applications

  • 3頁(yè)

  • TOSHIBA

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JDP4P02U
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Pin Type
JDP4P02U
UHF~VHF Band RF Attenuator Applications
路
路
路
Two independent diodes are packed into 4-pin ultra-small packages
and suitable for high-density mounting.
Low capacitance: C
T
= 0.3 pF (typ.)
Low series resistance: r
s
= 1.0
鈩?/div>
(typ.)
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Reverse voltage
Forward current
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
R
I
F
T
j
T
stg
Rating
30
50
125
-55~125
Unit
V
mA
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
1-2U1A
Electrical Characteristics
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Reverse voltage
Reverse current
Forward voltage
Capacitance
Series resistance
Symbol
V
R
I
R
V
F
C
T
r
s
I
R
=
10
mA
V
R
=
30 V
I
F
=
50 mA
V
R
=
1 V, f
=
1 MHz
I
F
=
10 mA, f
=
100 MHz
Test Condition
Weight: 0.006 g (typ.)
Min
30
戮
戮
戮
戮
Typ.
戮
戮
0.95
0.3
1.0
Max
戮
0.1
1.0
0.5
戮
Unit
V
mA
V
pF
W
Note: Signal level when capacitance is measured: Vsig
=
20 mVrms
Marking
1
2003-03-24

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