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JDP2S01AFS Datasheet

  • JDP2S01AFS

  • TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial PIN Type

  • 3頁(yè)

  • TOSHIBA

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JDP2S01AFS
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial PIN Type
JDP2S01AFS
UHF~VHF Band RF Switch Applications
Unit: mm
路
路
路
Suitable for reducing set鈥檚 size as a result from enabling high-density
mounting due to 2-pin small packages.
Low series resistance: r
s
= 0.65鈩?typ.)
Low capacitance: C
T
= 0.65 pF (typ.)
錕?frac12;錕斤拷½錕斤拷½錕斤緞錁烇緩錕?frac12;錕斤拷½錕?/div>
0.8鹵0.05
1.0鹵0.05
0.6鹵0.05
0.1
A
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Reverse voltage
Forward current
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
R
I
F
T
j
T
stg
Rating
30
50
150
鈭?5~150
Unit
V
mA
擄C
擄C
0.07
M
0.1
A
0.2
鹵0.05
0.1鹵0.05
0.48+0.02
-0.03
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 0.0006 g
鈥?/div>
鈥?/div>
1-1L1A
Electrical Characteristics
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Reverse voltage
Reverse current
Forward voltage
Capacitance
Series resistance
Symbol
V
R
I
R
V
F
C
T
r
s
Test Condition
I
R
= 10 碌A(chǔ)
V
R
= 30 V
I
F
= 50 mA
V
R
= 1 V, f = 1 MHz
I
F
= 10 mA, f = 100 MHz
Min
30
戮
戮
戮
戮
Typ.
戮
戮
0.86
0.65
0.65
Max
戮
0.1
0.92
0.8
1
Unit
V
碌A(chǔ)
V
pF
鈩?/div>
Note: Signal level when capacitance is measured. V
sig
= 100 mVrms
Marking
1
1
2003-2-21

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