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JAN2N426 Datasheet

  • JAN2N426

  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-5

  • 16頁

  • ETC

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MIL-S-19500A1B(
EL)
See Section6
MILITARYSPECIFICATION
SEMICONDUCTOR
DEVICE,TRANSISTOR,
PNP, GERMANIUM,SWITCHING
TYPSS 2N425,2Nb26 2N42?
,
1. SCOPS
131 w.-.
This specification
covers the detail requirements
for
germanium PNP,鈥渢ransietoraor use in low-power switchingapplication
f
in compatible
equipmentcircuits. (See 3.k and L.2 herein.
)
1.2 gutlineand d~.-
1.3 ~.-
t
See Fig. 1 herein. (TO-5)
$
(At TA = +250c, unless otherwisespecified)
150
~/
-jo
-15
-20
,
For derating
data
pertinentto TA =- +25擄C, see Fig. 2 herein.
1.4 particularelectricalchar
acteri
stlc~. (At TA = +250C,
unless
-
otherviaespecified):
hFE
at8
--
;~;%鈥?fdc
t
Min
---
Max
-..
鈥楤E
atJ
--
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Mi.n
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8at) Cobo
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IB=-lOmAdc
t鈥機(jī)B-
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Max
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1
Min Max Max
Max
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--- 1.05 1.15
--- 0.85 1.15
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60
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P
---
---
2Nb26 30
2N~27 45
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-%5 ~-
-0.45 --- -0.25 ---
-0.45 --- -0.25 ---
%
!%
20 3.0
20 5.0
Ic, =
Ic = .lw mAdc for 2Wt25, 2s426}at
-150 mAdc for 2NL27.

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