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JAN2N326 Datasheet

  • JAN2N326

  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-3VAR

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MILITARY
SPECIFICATION
SEMICONDUCTOR
DEVICE,
TRANSJSIT3R,
TYPE
2N326
NPN,
GERMANIUM,
POWSR
,..
This 5P edification is mandatory for use by all Depart-
ments and Agencies
of lhe Department
of Defense.
1.
sCOPE
This specilic.l
ion cover.
tie delail
req.iremems
for NPN, sermardum,
POW.
1.1 -
transistor.
1.2
1.3
Physiwd
dlmenstons.
ralings.
PT Y
w
鈥?/div>
7
Al
Derate
See figure
1 (TO-3).
Maxhn.m
鈥楥BO
y@
35
linearly
VEBO
y@
15
鈥楥ES
y&
,5,7
Ic
Adc
Tst5
x
-65 to .s5
TJ
~
+ 85
.117 W/Qc
for TC >25鈥?/div>
C
q
1. 4 Prinmry
electrical
characteristics.
鈥楩E
Limits
鈥楥E
= 1 Vdc
鈥楩E
VCE = 1 Vdc
Ic = O. 5 Adc
..-
30
60
VCE (sat)
[c = 500 mAdc
[B = 50 mAdc
@
---
0.60
Vc~
ftd%
= 10 Vdc
lC = 1 Adc
...
15
60
Ic = 100 JnA!ic
yHQ
O. 15
4
W.C 5961

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