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IC Datasheet頻道、中國IC資料網

IXTR200N10P Datasheet

IC型號：
IXTR200N10P
PDF描述：
PolarTM HiPerFET Power MOSFET
文件大?。?/label>
121.60KB
芯片廠家：
IXYS [IXYS Corporation]

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IXTR200N10P 產品屬性

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
Polar™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8 毫歐 @ 60A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 500µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
235nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7600pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
ISOPLUS247?
供應商設備封裝
ISOPLUS247?
包裝
管件

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型號

版本

描述

廠商

下載
IXTR16P60P

英文版

MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247

IXTR16P60P
IXTR48P20P

英文版

MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247

IXTR48P20P
IXTR90P20P

英文版

MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247

IXTR90P20P
IXTR170P10...

英文版

MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247

IXTR170P10P
IXTR200N10...

英文版

PolarTM HiPerFET Power MOSFET

IXYS [IXYS...

IXTR200N10P
IXTR102N65...

英文版

MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247

IXTR102N65X2

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