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IXTP75N10P Datasheet

  • IXTP75N10P

  • N-Channel Enhancement Mode

  • 5頁

  • IXYS   IXYS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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Advanced Technical Information
PolarHT
TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTQ 75N10P
IXTA 75N10P
IXTP 75N10P
V
DSS
I
D25
R
DS(on)
= 100 V
= 75 A
鈩?/div>
= 25
m鈩?/div>
TO-3P (IXTQ)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv/dt
P
D
T
J
T
JM
T
stg
T
L
Test Conditions
T
J
= 25擄C to 175擄C
T
J
= 25擄C to 175擄C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Maximum Ratings
100
100
鹵20
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V/ns
W
擄C
擄C
擄C
擄C
擄C
G = Gate
S = Source
G
S
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
G
D S
(TAB)
G
D
(TAB)
S
TO-220 (IXTP)
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C, pulse width limited by T
JM
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
I
S
鈮?/div>
I
DM
, di/dt
鈮?/div>
100 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
DSS
,
T
J
鈮?/div>
150擄C, R
G
= 10
鈩?/div>
T
C
= 25擄C
75
200
50
30
1.0
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
TO-263 (IXTA)
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Maximum tab temperature for soldering
TO-263 package for 10s
Mounting torque
TO-3P
TO-220
TO-263
(TO-3P / TO-220)
300
260
M
d
Weight
1.13/10 Nm/lb.in.
5.5
4
3
g
g
g
Features
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol
Test Conditions
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
碌A(chǔ)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250碌A(chǔ)
V
GS
=
鹵20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125擄C
Characteristic Values
Min. Typ.
Max.
100
2.5
5.0
鹵100
25
250
21
25
V
V
nA
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
m鈩?/div>
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
Pulse test, t
鈮?/div>
300
碌s,
duty cycle d
鈮?/div>
2 %
PolarHT
TM
DMOS transistors
utilize proprietary designs and
process. US patent is pending.
漏 2004 IXYS All rights reserved
DS99158(03/04)

IXTP75N10P 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • PolarHT™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 100V

  • 75A

  • 25 毫歐 @ 500mA，10V

  • 5.5V @ 250µA

  • 74nC @ 10V

  • 2250pF @ 25V

  • 360W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220

  • 管件

IXTP75N10P相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC

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