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IXTP3N120 Datasheet

  • IXTP3N120

  • High Voltage Power MOSFETs

  • 4頁

  • IXYS   IXYS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

High Voltage
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt
Preliminary Data Sheet
V
DSS
I
D25
3A
3A
R
DS(on)
4.5
鈩?/div>
4.0
鈩?/div>
IXTA/IXTP 3N120
IXTA/IXTP 3N110
1200 V
1100 V
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv/dt
P
D
T
J
T
JM
T
stg
T
L
M
d
Weight
Test Conditions
T
J
= 25擄C to 150擄C
T
J
= 25擄C to 150擄C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Continuous
Transient
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C, pulse width limited by T
JM
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
I
S
鈮?/div>
I
DM
, di/dt
鈮?/div>
100 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
DSS
,
T
J
鈮?/div>
150擄C, R
G
= 2
鈩?/div>
T
C
= 25擄C
3N120
3N110
3N120
3N110
Maximum Ratings
1200
1100
1200
1100
鹵20
鹵30
3
12
3
20
700
5
150
-55 to +150
150
-55 to +150
V
V
V
V
D (TAB)
TO-220 (IXTP)
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V/ns
W
擄C
擄C
擄C
擄C
Features
l
l
l
G
DS
TO-263 (IXTA)
G
S
D (TAB)
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque (TO-220)
TO-220
TO-263
300
1.13/10 Nm/lb.in.
4
2
g
g
l
International standard packages
Low R
DS (on)
Rated for unclamped Inductive load
Switching (UIS)
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
3N120
3N110
1200
1100
2.5
4.5
鹵100
T
J
= 25擄C
T
J
= 125擄C
3N120
3N110
25
1
4.5
4.0
V
V
V
nA
碌A(chǔ)
mA
鈩?/div>
鈩?/div>
Advantages
l
l
l
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 1 mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
碌A(chǔ)
V
GS
=
鹵20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
Easy to mount
Space savings
High power density
漏 2001 IXYS All rights reserved
98844A (11/01)

IXTP3N120 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HiPerFET™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 1200V（1.2kV）

  • 3A

  • 4.5 歐姆 @ 500mA，10V

  • 5V @ 250µA

  • 42nC @ 10V

  • 1350pF @ 25V

  • 200W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220

  • 管件

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC

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