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IXTP1R6N50P Datasheet

  • IXTP1R6N50P

  • PolarHV Power MOSFET

  • 4頁

  • IXYS   IXYS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

Advance Technical Information
PolarHV
TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTP 1R6N50P
IXTY 1R6N50P
V
DSS
I
D25
R
DS(on)
= 500
= 1.6
鈮?/div>
6.5
V
A
鈩?/div>
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv/dt
P
D
T
J
T
JM
T
stg
T
L
Test Conditions
T
J
= 25擄C to 150擄C
T
J
= 25擄C to 150擄C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Continuous
Transient
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C, pulse width limited by T
JM
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
I
S
鈮?/div>
I
DM
, di/dt
鈮?/div>
100 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
DSS
,
T
J
鈮?/div>
150擄C, R
G
= 50
鈩?/div>
T
C
= 25擄C
Maximum Ratings
TO-252 (IXTY)
500
500
鹵30
鹵40
1.6
2.5
1.6
5
75
10
43
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V/ns
G
G
S
(TAB)
TAB
TO-220 (IXTP)
W
擄C
擄C
擄C
擄C
擄C
D S
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
G = Gate
S = Source
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s
Maximum tab temperature for soldering
TO-252 package for 10s
Mounting torque (TO-220)
TO-252
TO-220
300
260
Features
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
M
d
Weight
1.13/10 Nm/lb.in.
0.8
4
g
g
Symbol
Test Conditions
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
碌A(chǔ)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
碌A(chǔ)
V
GS
=
鹵30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125擄C
Characteristic Values
Min. Typ.
Max.
500
3.0
5.5
鹵100
5
50
6.5
V
V
nA
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
鈩?/div>
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
Pulse test, t
鈮?/div>
300
碌s,
duty cycle d
鈮?/div>
2 %
漏 2005 IXYS All rights reserved
DS99441(09/05)

IXTP1R6N50P 產(chǎn)品屬性

  • 75

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • PolarHV™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 500V

  • 1.6A

  • 6.5 歐姆 @ 500mA，10V

  • 5.5V @ 25µA

  • 3.9nC @ 10V

  • 140pF @ 25V

  • 43W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220

  • 管件

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC

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