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IXTP1N100 Datasheet

  • IXTP1N100

  • High Voltage MOSFET

  • 49.71KB

  • 2頁

  • IXYS   IXYS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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Advanced Technical Information
High Voltage
MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated
IXTA 1N100
IXTP 1N100
V
DSS
I
D25
R
DS(on)
= 1000 V
= 1.5 A
=
11
鈩?/div>
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv/dt
P
D
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
Test Conditions
T
J
= 25擄C to 150擄C
T
J
= 25擄C to 150擄C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Continuous
Transient
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C, pulse width limited by T
JM
Maximum Ratings
1000
1000
鹵20
鹵30
1.5
6
1.5
V
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V/ns
W
擄C
擄C
擄C
TO-220AB (IXTP)
GD
D (TAB)
S
TO-263 AA (IXTA)
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
I
S
鈮?/div>
I
DM
, di/dt
鈮?/div>
100 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
DSS
,
T
J
鈮?/div>
150擄C, R
G
= 18
鈩?/div>
T
C
= 25擄C
6
200
3
54
-55 ... +150
150
-55 ... +150
G
S
D (TAB)
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
4
300
g
擄C
Features
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
聼
International standard packages
聼
High voltage, Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
聼
Rugged polysilicon gate cell structure
聼
Fast switching times
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
1000
2.5
4.5
鹵100
T
J
= 25擄C
T
J
= 125擄C
25
500
11
V
V
nA
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
鈩?/div>
Applications
聼
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
聼
Flyback inverters
聼
DC choppers
聼
High frequency matching
Advantages
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
碌A(chǔ)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 25
碌A(chǔ)
V
GS
=
鹵20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, I
D
= 1.0A
Pulse test, t
鈮?/div>
300
碌s,
duty cycle d
鈮?/div>
2 %
聼
Space savings
聼
High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
98545A (11/99)
漏 2000 IXYS All rights reserved
1-2

IXTP1N100 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 1000V（1kV）

  • 1.5A

  • 11 歐姆 @ 1A，10V

  • 4.5V @ 25µA

  • 14.5nC @ 10V

  • 400pF @ 25V

  • 54W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

IXTP1N100相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC

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