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IXTM11N80 Datasheet

  • IXTM11N80

  • MegaMOSFET

  • 4頁

  • IXYS   IXYS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

V
DSS
I
D25
R
DS(on)
MegaMOS
TM
FET
N-Channel Enhancement Mode
IXTH / IXTM 11N80 800 V
IXTH / IXTM 13N80 800 V
11 A 0.95
鈩?/div>
13 A 0.80
鈩?/div>
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
Test Conditions
T
J
= 25擄C to 150擄C
T
J
= 25擄C to 150擄C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Continuous
Transient
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C, pulse width limited by T
JM
T
C
= 25擄C
11N80
13N80
11N80
13N80
Maximum Ratings
800
800
鹵20
鹵30
11
13
44
52
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
擄C
擄C
擄C
TO-247 AD (IXTH)
D (TAB)
TO-204 AA (IXTM)
G
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g
300
擄C
Features
q
q
q
q
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
q
International standard packages
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Fast switching times
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
800
2
4.5
鹵100
T
J
= 25擄C
T
J
= 125擄C
11N80
13N80
250
1
0.95
0.80
V
V
nA
碌A(chǔ)
mA
鈩?/div>
鈩?/div>
Applications
q
q
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 3 mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
碌A(chǔ)
V
GS
=
鹵20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 鈥?V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
Pulse test, t
鈮?/div>
300
碌s,
q
q
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Motor controls
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
DC choppers
Advantages
q
q
q
Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
Space savings
High power density
I
XYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
915380F (5/96)
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara,CA 95054
Tel: 408-982-0700 Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany
Tel: +49-6206-5030
Fax: +49-6206-503629

IXTM11N80 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • GigaMOS?

  • 管件

  • 停產(chǎn)

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 800 V

  • 11A（Tc）

  • 10V

  • 950 毫歐 @ 5.5A，10V

  • 4.5V @ 250μA

  • 170 nC @ 10 V

  • ±20V

  • 4500 pF @ 25 V

  • -

  • 300W（Tc）

  • -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 通孔

  • TO-204AA（IXTM）

  • TO-204AA，TO-3

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 5A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | ...
    ETC

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