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IXTH7P50 Datasheet

  • IXTH7P50

  • Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...

  • 2頁

  • IXYS   IXYS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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V
DSS
I
D25
R
DS(on)
Standard Power MOSFET
P-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTH 7P50
IXTH 8P50
-500V -7 A 1.5
鈩?/div>
-500V -8 A 1.2
鈩?/div>
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
T
JM
T
stg
T
L
M
d
Weight
Test Conditions
T
J
= 25擄C to 150擄C
T
J
= 25擄C to 150擄C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Continuous
Transient
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C, pulse width limited by T
J
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
7P50
8P50
7P50
8P50
7P50
8P50
Maximum Ratings
-500
-500
鹵20
鹵30
-7
-8
-28
-32
-7
-8
30
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
W
擄
C
擄
C
擄
C
擄
C
Nm/lb.in.
g
TO-247 AD
D (TAB)
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
Features
鈥?/div>
International standard package
鈥?/div>
Low R
HDMOS process
鈥?/div>
Rugged polysilicon gate cell structure
鈥?/div>
Unclamped Inductive Switching (UIS)
TM
DS (on)
JEDEC TO-247 AD
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Mounting torque
300
1.13/10
6
鈥?/div>
Low package inductance (<5 nH)
- easy to drive and to protect
rated
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
-500
0.054
-3.0
-0.122
鹵100
T
J
= 25擄C
T
J
= 125擄C
-200
-1
-5.0
V
%/K
V
%/K
nA
碌A(chǔ)
mA
Applications
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= -250
碌A(chǔ)
BV
DSS
Temperature Coefficient
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
碌A(chǔ)
V
GS(th)
Temperature Coefficient
V
GS
=
鹵20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= -10 V, I
D
= 0.5 I
D25
鈥?/div>
High side switching
鈥?/div>
Push-pull amplifiers
鈥?/div>
DC choppers
鈥?/div>
Automatic test equipment
Advantages
鈥?/div>
Easy to mount with 1 screw
鈥?/div>
Space savings
鈥?/div>
High power density
(isolated mounting screw hole)
7P50
8P50
R
DS(on)
Temperature Coefficient
1.5
鈩?/div>
1.2
鈩?/div>
0.6 %/K
漏 2001 IXYS All rights reserved
94534E (6/01)

IXTH7P50 產(chǎn)品屬性

  • 30

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 500V

  • 7A

  • 1.5 歐姆 @ 500mA，10V

  • 5V @ 250µA

  • 130nC @ 10V

  • 3400pF @ 25V

  • 180W

  • 通孔

  • TO-247-3

  • TO-247AD

  • 管件

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode
    IXYS
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    Standard Power MOSFET
    IXYS
  • 英文版
    Standard Power MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS
  • 英文版
    MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS
  • 英文版
    MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    Standard Power MOSFET - P-Channel Enhancement Mode Avalanche...
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 9A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    10 AMP, 600V, 0.55-ohm / 0.7-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC

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