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IXTH21N50 Datasheet

  • IXTH21N50

  • MegaMOSFET

  • 4頁

  • IXYS   IXYS

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MegaMOS
TM
FET
IXTH / IXTM 21N50
IXTH / IXTM 24N50
N-Channel Enhancement Mode
V
DSS
500 V
500 V
I
D25
R
DS(on)
21 A 0.25
鈩?/div>
24 A 0.23
鈩?/div>
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
Test Conditions
T
J
= 25擄C to 150擄C
T
J
= 25擄C to 150擄C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Continuous
Transient
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C, pulse width limited by T
JM
T
C
= 25擄C
21N50
24N50
21N50
24N50
Maximum Ratings
500
500
鹵20
鹵30
21
24
84
96
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
擄C
擄C
擄C
TO-247 AD (IXTH)
D (TAB)
TO-204 AE (IXTM)
D
G = Gate,
S = Source,
G
D = Drain,
TAB = Drain
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g
300
擄C
Features
International standard packages
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Fast switching times
l
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
500
2
4
鹵100
T
J
= 25擄C
T
J
= 125擄C
200
1
0.25
0.23
V
Applications
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Motor controls
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
DC choppers
l
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
碌A(chǔ)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
碌A(chǔ)
V
GS
=
鹵20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 鈥?V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
nA
碌A(chǔ)
mA
鈩?/div>
鈩?/div>
Advantages
Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
Space savings
High power density
l
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
漏 2000 IXYS All rights reserved
l
l
21N50
24N50
Pulse test, t
鈮?/div>
300
碌s,
duty cycle d
鈮?/div>
2 %
l
V
l
l
l
l
l
l
91536F(5/97)
1-4

IXTH21N50 產(chǎn)品屬性

  • 30

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • MegaMOS™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 500V

  • 21A

  • 250 毫歐 @ 10.5A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 190nC @ 10V

  • 4200pF @ 25V

  • 300W

  • 通孔

  • TO-247-3

  • TO-247AD

  • 管件

IXTH21N50相關(guān)型號PDF文件下載

  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode
    IXYS
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    Standard Power MOSFET
    IXYS
  • 英文版
    Standard Power MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS
  • 英文版
    MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS
  • 英文版
    MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    Standard Power MOSFET - P-Channel Enhancement Mode Avalanche...
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 9A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    10 AMP, 600V, 0.55-ohm / 0.7-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC

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