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IXTH16P20 Datasheet

  • IXTH16P20

  • Standard Power MOSFET

  • 2頁

  • IXYS   IXYS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

Advance Technical Information
Standard Power MOSFET
P-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTH 16P20
V
DSS
I
D25
R
DS(on)
= -200 V
= -16 A
= 0.22
鈩?/div>
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
T
JM
T
stg
T
L
M
d
Weight
Test Conditions
T
J
= 25擄C to 150擄C
T
J
= 25擄C to 150擄C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Continuous
Transient
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C, pulse width limited by T
J
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
Maximum Ratings
-200
-200
鹵20
鹵30
-16
-64
-16
30
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
W
擄
C
擄
C
擄
C
擄
C
TO-247 AD
D (TAB)
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Mounting torque
300
Features
鈥?/div>
International standard package
JEDEC TO-247 AD
鈥?/div>
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
1.13/10 Nm/lb.in.
6
g
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance (<5 nH)
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
-200
-3.0
-5.0
鹵100
T
J
= 25擄C
T
J
= 125擄C
-25
-1
0.22
V
V
nA
碌A(chǔ)
mA
鈩?/div>
Applications
鈥?/div>
High side switching
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= -250
碌A(chǔ)
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
碌A(chǔ)
V
GS
=
鹵20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= -10 V, I
D
= 0.5 I
D25
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Push-pull amplifiers
DC choppers
Automatic test equipment
Advantages
鈥?/div>
Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
鈥?/div>
Space savings
鈥?/div>
High power density
漏 2002 IXYS All rights reserved
98906 (2/02)

IXTH16P20 產(chǎn)品屬性

  • 30

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 200V

  • 16A

  • 160 毫歐 @ 500mA，10V

  • 5V @ 250µA

  • 95nC @ 10V

  • 2800pF @ 25V

  • 300W

  • 通孔

  • TO-247-3

  • TO-247AD

  • 管件

IXTH16P20相關(guān)型號PDF文件下載

  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode
    IXYS
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    Standard Power MOSFET
    IXYS
  • 英文版
    Standard Power MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS
  • 英文版
    MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS
  • 英文版
    MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    Standard Power MOSFET - P-Channel Enhancement Mode Avalanche...
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 9A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    10 AMP, 600V, 0.55-ohm / 0.7-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC

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