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IXTH15N70 Datasheet

  • IXTH15N70

  • N-Channel Enhancement Mode

  • 2頁

  • INTERFET

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IXTH 15N70
V
DSS
MegaMOS
TM
FET
N-Channel Enhancement Mode
I
D (cont)
R
DS(on)
= 700 V
= 15 A
= 0.45
鈩?/div>
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
Test Conditions
T
J
= 25擄C to 150擄C
T
J
= 25擄C to 150擄C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Continuous
Transient
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C, pulse width limited by T
JM
T
C
= 25擄C
Maximum Ratings
700
700
鹵20
鹵30
15
60
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
W
擄C
擄C
擄C
TO-247 AD
D (TAB)
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
6
300
g
擄C
Features
q
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
q
q
q
q
International standard package
JEDEC TO-247 AD
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
High commutating dv/dt rating
Fast switching times
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
700
2
4.5
鹵100
T
J
= 25擄C
T
J
= 125擄C
200
1
0.45
V
V
nA
碌A
mA
鈩?/div>
Applications
q
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
碌A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
碌A
V
GS
=
鹵20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 鈥?V
DSS
V
GS
= 0 V
q
q
q
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Motor controls
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
DC choppers
Advantages
q
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 鈥?I
D25
Pulse test, t
鈮?/div>
300
碌s,
duty cycle d
鈮?/div>
2 %
q
q
Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
Space savings
High power density
I
XYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
94503C(5/96)
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara,CA 95054
Tel: 408-982-0700 Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany
Tel: +49-6206-5030
Fax: +49-6206-503629

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode
    IXYS
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    Standard Power MOSFET
    IXYS
  • 英文版
    Standard Power MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS
  • 英文版
    MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS
  • 英文版
    MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
  • 英文版
    Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche R...
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    Standard Power MOSFET - P-Channel Enhancement Mode Avalanche...
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 9A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    10 AMP, 600V, 0.55-ohm / 0.7-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC

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