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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

IXTB30N100L Datasheet

IC型號：
IXTB30N100L
PDF描述：
Power MOSFETs with Extended FBSOA
文件大?。?/label>
97.81KB
芯片廠家：
IXYS [IXYS Corporation]

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IXTB30N100L PDF文件相關(guān)型號

IXTN30N100L

IXTB30N100L 產(chǎn)品屬性

標(biāo)準(zhǔn)包裝
25
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
450 毫歐 @ 500mA，20V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
545nC @ 20V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
13200pF @ 25V
功率 - 最大
800W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PLUS264?
包裝
管件

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型號

版本

描述

廠商

下載
IXTB62N50L

英文版

MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264

IXTB62N50L
IXTB30N100...

英文版

Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS [IXYS...

IXTB30N100L

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